PJQ4402P_R2_00001_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有120A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至2.9mΩ。其極低的導通電阻顯著減少導通損耗，有利于提升系統整體效率并降低溫升。適用于高電流密度的電源管理應用，如大功率開關電源、高效同步整流電路以及需要頻繁開關操作的負載控制場景，在高頻工作條件下仍能維持穩定的電氣特性。
