AONR36328_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:35A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和35A的連續漏極電流（ID），在典型工作條件下導通電阻（RDS(ON)）低至7.5毫歐。其低導通電阻有效降低導通損耗，適用于高效率、大電流的電源開關場景。器件結構支持快速開關特性，適合用于電池供電設備、便攜式電子產品及各類需要高效能功率轉換的電路中，能夠提升系統整體熱性能與能效表現。
