UPA2821T1L-E1-AT_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:120A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:2.9mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備120A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻僅為2.9毫歐。其極低的導通電阻有效降低了導通狀態下的功率損耗，有助于提升系統整體能效。器件適用于高電流、高效率要求的電源轉換、電池管理系統及大功率電機驅動等場合。在高頻開關應用中，該MOSFET展現出良好的動態性能和熱穩定性，適合集成于對空間和散熱有嚴苛限制的緊湊型電子設備中。
