DMG7430LFGQ-7_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:35A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有35A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為7.5毫歐。在中等電流應用場景下，其較低的導通電阻有助于減少功率損耗并提升能效。適用于開關電源、電池供電設備、電機控制及各類高頻率功率轉換電路。器件在典型工作條件下表現出良好的熱穩定性和開關特性，適合對體積和效率有要求的緊湊型電子系統。
