AON7764_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：ID:100A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:2.5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和100A的最大連續(xù)漏極電流（ID），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至2.5毫歐，有效減少導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗。其高電流承載能力與極低導(dǎo)通阻抗使其適用于對(duì)效率和熱管理要求嚴(yán)苛的電源系統(tǒng)，如大電流負(fù)載開關(guān)、高效DC-DC轉(zhuǎn)換器及高密度功率模塊，在頻繁開關(guān)操作中仍能保持穩(wěn)定性能。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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