G120N03D3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:45A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有45A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至6毫歐，柵源驅動電壓最高可達20V。其低RDS(ON)有效降低導通損耗，在大電流工作狀態下仍保持良好的熱性能。器件適用于高效率電源轉換、負載開關及同步整流等應用，憑借穩定的電氣特性和快速開關響應，可在多種電子系統中實現可靠的功率控制。
