UMWIRLML0030TR_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:5.8A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:22mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）額定漏極電流（ID）為5.8A，漏源擊穿電壓（VDSS）為30V，導通電阻（RDS(ON)）為22毫歐。器件在中等電流條件下具備良好的導通特性，適用于對體積和效率有一定要求的電源轉換、負載開關及便攜式設備中的功率管理場景。其參數組合兼顧開關速度與導通損耗，在30V工作電壓范圍內可實現穩定可靠的性能表現。
