SI7446BDP-T1-E3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:50A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備50A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為6.5毫歐，柵源驅動電壓（VGS）額定值為20V。低導通電阻有助于降低導通狀態下的功率損耗，提升整體能效。器件適用于需要高電流承載能力和高效熱管理的電源轉換及開關電路，在各類高頻、大電流電子系統中可實現穩定可靠的運行特性。
