TPCA8005-H(TE12LQM_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:50A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：VGS:20V 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有50A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）為6.5毫歐，在柵源電壓（VGS）高達(dá)±20V時(shí)仍能保持穩(wěn)定工作。其低導(dǎo)通電阻有助于顯著降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池充放電控制以及各類(lèi)中高功率開(kāi)關(guān)電路。器件支持快速開(kāi)關(guān)操作，適合對(duì)熱性能和功率密度有較高要求的應(yīng)用場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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