HMJ45N03S_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:40A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS），支持40A的連續漏極電流（ID），在典型工作條件下導通電阻（RDS(ON)）為5毫歐。低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，提升系統整體能效。器件適用于對電流承載能力和熱性能有較高要求的電源管理、直流-直流轉換以及大功率負載開關等應用場合，在緊湊型電子系統中可實現高效、穩定的功率控制。
