DMN3023L-13-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:5.8A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:22mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5.8A的連續漏極電流（ID），在導通狀態下呈現低至22毫歐的導通電阻（RDS(on)）。其低導通電阻有助于減少功率損耗，提升整體能效。器件適用于對效率和熱性能有較高要求的電源管理、負載開關及同步整流等電路拓撲中，能夠在緊湊空間內實現穩定可靠的開關操作。
