NTMFS4841NHT3G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有80A的連續漏極電流能力，最大漏源電壓為30V，導通電阻低至4.7mΩ，在柵源電壓高達20V的條件下可穩定運行。其超低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，提升整體能效，適用于高效率電源模塊、大電流開關電路以及對熱性能和空間布局要求較高的電子系統。器件具備良好的開關特性，適合在高頻操作環境中實現精確控制與高效能量轉換。
