BSC059N03ST_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備80A的連續漏極電流，最大漏源電壓為30V，導通電阻為4.7毫歐，柵源電壓額定值達20V。其較低的導通電阻有助于降低導通狀態下的功率損耗，適用于高效率電源轉換、電池管理系統及各類需要大電流處理能力的電子設備。器件在高頻開關條件下仍能保持穩定性能，適合對熱管理和能效有較高要求的應用場合。
