DMN3032LQ-13-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:5.8A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:22mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的連續漏極電流為5.8A，最大漏源電壓為30V，在典型工作條件下導通電阻低至22毫歐。器件具備較低的導通損耗和良好的開關特性，適用于對效率和熱性能有要求的電源轉換、電池管理及便攜式電子設備中的功率控制功能。其參數組合使其在中等電流負載下能夠穩定運行，并有助于簡化散熱設計。
