NTMFS4943NT3G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:4.7mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有80A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至4.7毫歐，柵源驅動電壓（VGS）最大可達20V。器件在高電流應用中表現出優異的導通性能和較低的功率損耗，適用于對效率和熱管理要求較高的電源轉換、電機驅動及高頻開關電路等場景。其低導通電阻有助于減小導通狀態下的能量損耗，提升系統整體能效。
