IRLR7833TRR_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:100A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有100A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）低至3.8毫歐。其超低導通電阻有助于顯著降低導通損耗，提升系統(tǒng)效率，適用于大電流電源管理、電池供電設備及高密度功率轉換等場景。在持續(xù)高負載工作條件下，器件展現出良好的熱穩(wěn)定性和可靠的開關特性。
