IRLR7833TRRPBF_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：ID:100A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3.8mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有100A的連續(xù)漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）低至3.8毫歐。其高電流承載能力與極低導(dǎo)通損耗相結(jié)合，適用于對效率和熱性能要求較高的電源轉(zhuǎn)換及開關(guān)應(yīng)用場景。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化了開關(guān)速度與導(dǎo)通特性，在高頻操作條件下仍能保持穩(wěn)定性能，適合用于各類高密度、高效率的電力電子系統(tǒng)中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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