DMG3404L-13_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:5.8A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:22mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）的漏源擊穿電壓（VDSS）為30V，最大連續漏極電流（ID）為5.8A，在柵源電壓（VGS）為12V時，導通電阻（RDS(ON)）典型值為22毫歐。其低導通電阻有助于降低導通損耗，適用于對效率和熱性能有要求的電源轉換、負載開關及同步整流等電路應用。
