GSFC0306_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：ID:5.8A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道MOSFET具有5.8A的連續(xù)漏極電流能力，漏源電壓額定值為30V，在柵源電壓為12V時(shí)導(dǎo)通電阻典型值為22mΩ。其低導(dǎo)通電阻有助于減少導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升整體能效。器件適用于對開關(guān)速度和導(dǎo)通效率有較高要求的電子系統(tǒng)，如電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)及便攜式設(shè)備中的功率管理單元，能夠在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的開關(guān)操作。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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