IPD060N03LGBTMA1_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：ID:80A 參數(shù)2：VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：TYPE:N-ch 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有80A的連續(xù)漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS），以及5毫歐的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）。低導(dǎo)通電阻有助于有效降低導(dǎo)通狀態(tài)下的功率損耗，提升系統(tǒng)整體效率。器件適用于高電流、高頻率的開(kāi)關(guān)應(yīng)用場(chǎng)景，如電源管理模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路及各類(lèi)高效能電子設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)，能夠在緊湊布局中實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的性能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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