IRFR3707ZTRLPBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:ID:60A 參數2:VDSS:30V 參數3:RDON:7mR 參數4:TYPE:N-ch 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具有60A的連續漏極電流(ID)和30V的漏源擊穿電壓(VDSS),在典型驅動條件下導通電阻(RDS(ON))為7毫歐。其較低的導通電阻有助于減小導通損耗,提升整體能效,適用于對熱管理和效率有較高要求的電源路徑設計。器件可支持高頻開關操作,適合用于直流-直流轉換器、高電流負載開關及各類緊湊型電源模塊中。
