IRLR8721PBF_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:80A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備80A的連續漏極電流（ID）和30V的最大漏源電壓（VDSS），在標準驅動條件下導通電阻（RDS(ON)）為5毫歐。其低導通電阻有助于降低導通損耗，提升系統效率，適用于對功率密度和熱性能有較高要求的電源轉換場合。器件結構支持高頻開關操作，可廣泛應用于高效直流-直流變換器、電池管理系統及各類高電流負載控制電路中。
