IRLR8103VTRL_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道MOSFET具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和60A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDS(ON)）低至7毫歐，適用于大電流、高效率的開關應用場景。其低導通電阻有助于減少功率損耗并提升系統熱穩定性。該器件可廣泛用于電源轉換模塊、電池充放電控制、電動工具驅動電路以及對能效和緊湊布局有較高要求的電子設備中。
