SPD30N03S2L10GBTMA1_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為7毫歐。其低導通電阻有助于減少導通損耗，提升系統整體效率，適用于對功率密度和熱管理有較高要求的電源拓撲結構。在開關頻率較高的應用中，該器件能夠維持良好的動態性能，適合用于高效率直流-直流轉換、電池供電系統及各類緊湊型電子設備中的功率控制環節。
