SUD50N03-09P-E3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）為7毫歐。在中等功率開關應用中，其參數組合可有效平衡導通損耗與開關性能，適用于電源管理模塊、電機驅動電路、電池供電設備以及各類需要高效能功率開關的電子系統。器件在持續大電流工作時仍能維持較低溫升，有助于提升整體系統穩定性。
