FDD8880-G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：ID:60A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET具備60A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDS(ON)）僅為7mΩ。其低導通電阻有效降低導通損耗，適用于高電流、中低電壓的開關應用場景。器件在高頻開關條件下仍能保持較低的溫升，適合用于電源轉換、電池管理系統及各類高效能電子設備中的功率控制環節。
