MCG30N03-TP_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：ID:45A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：VGS:20V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有45A的連續漏極電流（ID）、30V的漏源擊穿電壓（VDSS）、6毫歐的導通電阻（RDS(ON)），以及最大20V的柵源電壓（VGS）。其低導通電阻有助于在中等電流應用中降低功耗，提升整體效率。適用于開關電源、負載開關、電池保護電路及高頻率功率轉換等場景，能夠在保證穩定開關性能的同時，有效控制溫升與能量損耗。
