SI4384DY-T1-GE3-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:15A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:7.5mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道MOSFET的連續漏極電流（ID）為15A，漏源擊穿電壓（VDSS）為30V，導通電阻（RDS(ON)）為7.5毫歐。其低導通電阻有助于降低導通狀態下的功率損耗，提升系統效率。適用于對體積和熱管理有較高要求的電源轉換、電池供電設備及高頻開關電路中，能夠在有限空間內實現穩定可靠的開關性能。
