PJA3404_R1_00001_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：ID:5.8A 參數2：VDSS:30V 參數3：RDON:22mR 參數4：TYPE:N-ch 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管（MOSFET）具有30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5.8A的連續漏極電流（ID），在導通狀態下其導通電阻（RDS(ON)）典型值為22毫歐。器件采用標準封裝結構，適用于對導通損耗和開關效率有較高要求的電源管理及負載開關場景。其低導通電阻有助于減少功率損耗，提升系統整體能效，適合用于便攜式電子設備、消費類電源適配器以及各類中低功率直流轉換電路中。
