- 美光跌完三星跌，三星跌完SK海力士跌，存儲(chǔ)芯片降至冰點(diǎn)
- 消息：三星、SK海力士已獲美國(guó)豁免，在華生產(chǎn)暫不受影響
- 消息人士：三星和SK海力士將首當(dāng)其沖受到美國(guó)對(duì)中國(guó)芯片的打擊
- 消息人士：三星和SK海力士將首當(dāng)其沖受到美國(guó)對(duì)中國(guó)芯片的打擊
- DRAM內(nèi)存2個(gè)月跌了57%，三星、SK海力士、美光愁哭了
- 緊追 SK 海力士，三星電子將在今年推出 236 層 NAND 閃存
- 消息稱(chēng) SK 海力士正開(kāi)發(fā)基于 238層NAND的UFS4.0 閃存
- TrendForce：Q2 全球 DRAM 營(yíng)收 255.9 億美元，三星、SK 海力士共占 70.9% 份額
- 消息稱(chēng) SK 海力士將于明年初在美國(guó)新建芯片封裝工廠(chǎng)，耗資數(shù)十億美元
- 美國(guó)對(duì)華“組合拳”顯成效？傳三星、SK海力士重新評(píng)估對(duì)華投資，或轉(zhuǎn)向美國(guó)
