8月5日，璞璘科技在其微信公眾號(hào)中宣布，其自主研發(fā)的首臺(tái)PL-SR系列噴墨步進(jìn)式納米壓印設(shè)備已順利通過(guò)驗(yàn)收并交付國(guó)內(nèi)特色工藝客戶。這一里程碑事件標(biāo)志著我國(guó)在高端半導(dǎo)體裝備制造領(lǐng)域邁出堅(jiān)實(shí)步伐，成功打破國(guó)外廠商在該領(lǐng)域的技術(shù)壟斷。

據(jù)悉，PL-SR系列設(shè)備實(shí)現(xiàn)了多項(xiàng)關(guān)鍵突破。該設(shè)備攻克了步進(jìn)硬板的非真空完全貼合、噴膠與薄膠壓印、壓印膠殘余層控制等核心技術(shù)難題，可支持線寬小于10nm的納米壓印光刻工藝。值得注意的是，這一技術(shù)指標(biāo)已超越國(guó)際巨頭佳能同類產(chǎn)品FPA-1200NZ2C（支持14nm線寬）的水平。設(shè)備配備自主研發(fā)的模板面型控制系統(tǒng)、納米壓印光刻膠噴墨算法系統(tǒng)等核心模塊，展現(xiàn)出強(qiáng)大的自主創(chuàng)新能力。

相比傳統(tǒng)EUV光刻技術(shù)，納米壓印技術(shù)可降低60%的設(shè)備投資成本，并將耗電量控制在EUV技術(shù)的10%。特別在存儲(chǔ)芯片制造領(lǐng)域，該技術(shù)因適合重復(fù)性圖形結(jié)構(gòu)而展現(xiàn)出獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，為國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商突破制程瓶頸提供了新的技術(shù)路徑。目前，該設(shè)備已完成存儲(chǔ)芯片、硅基微顯等多個(gè)領(lǐng)域的研發(fā)驗(yàn)證。

此次突破具有重要的戰(zhàn)略意義。佳能同類產(chǎn)品此前明確對(duì)中國(guó)禁運(yùn)，PL-SR系列的成功交付不僅打破了這一技術(shù)封鎖，更為我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈自主可控提供了關(guān)鍵裝備支撐。雖然納米壓印技術(shù)在復(fù)雜邏輯芯片制造上仍有效率瓶頸，但在存儲(chǔ)芯片等特定領(lǐng)域已展現(xiàn)出替代潛力，有望助力國(guó)內(nèi)廠商提升市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。