三星電子解散HBM研發(fā)團隊
關(guān)鍵詞: 三星電子 高帶寬內(nèi)存 HBM 組織架構(gòu)調(diào)整 DRAM
據(jù)多家媒體報道,全球半導體巨頭三星電子近日宣布了一項重大組織架構(gòu)調(diào)整,解散了其成立僅一年的高帶寬內(nèi)存(HBM)特別開發(fā)團隊,并將該團隊的人員與業(yè)務整體并入DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)開發(fā)部門的設(shè)計團隊。

調(diào)整細節(jié):人員與業(yè)務平穩(wěn)過渡
此次調(diào)整標志著三星的HBM業(yè)務從獨立的“特攻隊”模式,回歸到存儲芯片的主流研發(fā)體系。三星電子表示,此舉旨在優(yōu)化資源配置,增強HBM與核心DRAM產(chǎn)品之間的協(xié)同效應,以提升整體運營效率和競爭力。
三星電子于2024年7月緊急組建了獨立的HBM開發(fā)團隊。當時,三星在飛速增長的HBM市場上明顯落后于其主要競爭對手SK海力士,成立該團隊被視為集中資源、加速技術(shù)追趕的關(guān)鍵舉措。HBM是人工智能(AI)服務器和高性能計算領(lǐng)域的核心部件,市場需求隨著AI浪潮而爆發(fā)性增長。
根據(jù)調(diào)整方案,原HBM開發(fā)團隊的成員將全部調(diào)入DRAM開發(fā)室下屬的設(shè)計團隊。此前領(lǐng)導HBM團隊的副社長(EVP)孫永秀(Son Young-soo)被任命為這一設(shè)計團隊的負責人,將繼續(xù)帶領(lǐng)原班人馬推進下一代HBM產(chǎn)品的研發(fā)工作。盡管團隊組織形式改變,但核心研發(fā)任務——包括HBM4及HBM4E等前沿技術(shù)的開發(fā)——將保持連續(xù)性。
業(yè)內(nèi)分析指出,此次重組反映了三星對自身HBM技術(shù)發(fā)展階段的判斷已發(fā)生變化。經(jīng)過一年多的集中攻關(guān),三星認為其HBM技術(shù)已具備核心競爭力,不再需要以獨立團隊的形式“補短板”,而是轉(zhuǎn)向與基礎(chǔ)DRAM技術(shù)進行更深度的整合,以強化長期技術(shù)優(yōu)勢。此舉也被解讀為三星對即將到來的下一代HBM產(chǎn)品(如HBM4)抱有充分信心。
市場影響:鞏固地位與追趕份額
市場數(shù)據(jù)顯示,今年第二季度,三星在全球HBM市場的份額曾下滑至17%,位居第三,遠落后于占據(jù)62%市場份額的SK海力士。不過,隨著三星HBM3E成功進入英偉達供應鏈,以及HBM4產(chǎn)品訂單已全部售罄,公司對明年市場表現(xiàn)持樂觀態(tài)度。
三星存儲業(yè)務執(zhí)行副總裁金在俊在近期財報會議上透露:"與今年相比,我們已大幅提高了明年的HBM產(chǎn)能,但客戶需求仍然超過了供應。"公司預計,隨著HBM4供應規(guī)模逐步擴大,其市場份額將從明年起穩(wěn)步回升。市場研究機構(gòu)TrendForce預測,到2026年,三星在全球HBM市場的占有率有望突破30%。
值得注意的是,此次組織調(diào)整恰逢全球存儲市場迎來超級周期。據(jù)供應鏈消息,DDR5 16Gb顆粒價格在10月單月漲幅高達102%,而Counterpoint Research預測,到2026年第二季度,內(nèi)存模組價格將較目前上漲50%。三星在穩(wěn)固傳統(tǒng)DRAM市場的同時,持續(xù)布局高端HBM產(chǎn)品線,顯示出其"面包和未來都要"的雙軌戰(zhàn)略。
目前,三星在DRAM產(chǎn)能和訂單履約方面擁有強大基礎(chǔ)。在HBM領(lǐng)域,其HBM3E產(chǎn)品已實現(xiàn)量產(chǎn)并交付給英偉達、AMD等客戶,下一代HBM4的訂單也已售罄。盡管今年第二季度三星在全球HBM市場份額排名第三,落后于SK海力士和美光,但市場研究機構(gòu)TrendForce預測,隨著HBM4供應擴大,三星在2026年的市場份額有望超過30%。此次組織調(diào)整,是三星為了更有效地整合內(nèi)部資源,以抓住市場機遇、實現(xiàn)份額提升的戰(zhàn)略布局。
《韓國經(jīng)濟日報》報導,三星HBM4產(chǎn)品正快速擴大市占,并受惠于標準型DRAM價格年漲幅高達56%,使得整體存儲部門營收大幅提升;除了存儲價格回升外,NAND Flash價格也回升,有助帶動整體毛利結(jié)構(gòu)改善。
據(jù)悉,三星電子計劃在本周內(nèi)完成此次組織架構(gòu)重組,并預計于12月初召開全球戰(zhàn)略會議,審查明年的業(yè)務計劃。
責編:Amy.wu