12月8日消息，韓國(guó)媒體ZDNet Korea披露，存儲(chǔ)巨頭SK海力士已正式推遲第六代HBM4的量產(chǎn)與擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃——原定2026年2月啟動(dòng)量產(chǎn)、第二季度擴(kuò)大產(chǎn)能的安排，現(xiàn)延后至2026年3–4月量產(chǎn)，第三季度才開始放量。

這一調(diào)整不僅反映出先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)落地的復(fù)雜性，更揭示了AI芯片生態(tài)中供需錯(cuò)配與制造瓶頸的深層關(guān)系。而SK海力士推遲HBM4 量產(chǎn)，意味著所需材料和零組件供應(yīng)速度也放緩。

據(jù)悉，SK海力士HBM4邏輯芯粒由臺(tái)積電代工，意味著SK海力士需與外部Foundry深度協(xié)同，打破過(guò)去DRAM垂直整合的慣性。這種跨工藝、跨廠商的集成模式，在良率爬坡和量產(chǎn)一致性上天然更具不確定性。當(dāng)然，市場(chǎng)需求也是影響HBM4規(guī)模化量產(chǎn)的另一大原因。

HBM4本被視為英偉達(dá)下一代AI旗艦芯片“Rubin”的標(biāo)配內(nèi)存。Rubin預(yù)計(jì)于2026年接棒當(dāng)前Blackwell架構(gòu)，性能目標(biāo)大幅提升，對(duì)內(nèi)存帶寬提出前所未有的要求。

為此，HBM4在技術(shù)上實(shí)現(xiàn)重大突破：I/O端口數(shù)量從HBM3E的1,024個(gè)倍增至2,048個(gè)，數(shù)據(jù)傳輸通道近乎翻番；同時(shí)，用于控制HBM的邏輯芯粒（logic die）將首次放棄傳統(tǒng)DRAM制程，轉(zhuǎn)而采用臺(tái)積電的先進(jìn)晶圓代工工藝，以提升信號(hào)完整性與能效比。這些創(chuàng)新雖極具前瞻性，卻也顯著抬高了制造難度與驗(yàn)證周期。

據(jù)消息人士透露，SK海力士此前已為配合英偉達(dá)需求，試產(chǎn)約2萬(wàn)至3萬(wàn)顆HBM4樣品供質(zhì)量驗(yàn)證。但近期雙方就2026年供貨計(jì)劃溝通后發(fā)現(xiàn)，英偉達(dá)大幅上調(diào)HBM3E采購(gòu)量，暗示其Rubin芯片可能面臨延期。

背后原因多重：一方面，Rubin追求極致性能，對(duì)HBM4與CoWoS先進(jìn)封裝的協(xié)同要求極高；另一方面，臺(tái)積電CoWoS 2.5D封裝產(chǎn)能持續(xù)緊張，已成為整個(gè)AI芯片供應(yīng)鏈的“卡脖子”環(huán)節(jié)。在此背景下，英偉達(dá)選擇延長(zhǎng)Blackwell生命周期，優(yōu)先保障現(xiàn)有產(chǎn)品交付。

面對(duì)客戶需求的轉(zhuǎn)向，SK海力士迅速調(diào)整策略：2026年上半年仍將HBM3E作為生產(chǎn)重心，確保Blackwell GPU的穩(wěn)定供應(yīng)。該公司回應(yīng)稱：“雖無(wú)法確認(rèn)具體經(jīng)營(yíng)細(xì)節(jié)，但將根據(jù)市場(chǎng)需求靈活應(yīng)對(duì)。”

責(zé)編：Jimmy.zhang