美光狂漲10% 受惠AI存儲(chǔ)器需求飆升:“我們?cè)缇唾u到翻”
關(guān)鍵詞: 美光科技 AI 存儲(chǔ)器 財(cái)報(bào) 股價(jià) 業(yè)績(jī)預(yù)期
美光科技(Micron Technology)( MU-US ) 股價(jià)周四(18 日) 大漲10.21%,因這家存儲(chǔ)器芯片制造商預(yù)測(cè)本季營(yíng)收與獲利將大幅跳升,毛利率更將創(chuàng)下歷史新高。在人工智慧(AI) 工作負(fù)載帶動(dòng)下,存儲(chǔ)器價(jià)格與需求同步走高,推動(dòng)美光第一財(cái)季交出破紀(jì)錄的成績(jī)單。
摩根士丹利分析師Joseph Moore 形容,這份財(cái)報(bào)是除了英偉達(dá)(Nvidia)( NVDA-US ) 之外「美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)史上,營(yíng)收與凈利超預(yù)期幅度最大的一次」。
分析師指出,「如果AI 如我們預(yù)期持續(xù)成長(zhǎng),未來12 個(gè)月,AI 題材的受惠范圍將不再僅限于處理器類股,存儲(chǔ)器將是最大受益者之一。」
美光公布,截至11 月27 日止一季,非GAAP 每股盈余(EPS) 為4.78 美元,明顯優(yōu)于分析師平均預(yù)期的3.94 美元。營(yíng)收達(dá)136.4 億美元,較去年同期的87.1 億美元大幅成長(zhǎng),也高于市場(chǎng)預(yù)期的128.3 億美元。
受惠于傳統(tǒng)DRAM 價(jià)格強(qiáng)勁反彈,以及生成式AI 工作負(fù)載帶動(dòng)的高速存儲(chǔ)器需求增加,美光表現(xiàn)亮眼。
展望2026 會(huì)計(jì)年度第二季,美光預(yù)估營(yíng)收將達(dá)187 億美元,正負(fù)誤差4 億美元,遠(yuǎn)高于華爾街預(yù)估的142.3 億美元。每股盈余中值為8.42 美元,幾乎是市場(chǎng)共識(shí)4.49 美元的兩倍。
公司預(yù)期毛利率將攀升至68%,創(chuàng)歷史新高,季增11.2 個(gè)百分點(diǎn)。
存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈的調(diào)查顯示,在供應(yīng)可用性令人憂心、且市場(chǎng)預(yù)期供需吃緊可能延續(xù)至2026 年的情況下,美光核心獲利來源DRAM 在本季及接下來幾季的價(jià)格,可能出現(xiàn)雙位數(shù)的季增幅。
美光執(zhí)行長(zhǎng)Sanjay Mehrotra 在聲明中表示,「在2026 財(cái)年第一季,美光在公司整體及各事業(yè)部門都創(chuàng)下營(yíng)收新高,并實(shí)現(xiàn)顯著的毛利擴(kuò)張。」
美光業(yè)務(wù)主管Sumit Sadana 直言,「我們?cè)缇唾u到供不應(yīng)求。我們的模型中仍存在大量未被滿足的需求,這與未來可預(yù)見期間內(nèi),需求遠(yuǎn)高于供給的環(huán)境完全一致。」
公司預(yù)期,隨著持續(xù)投資以支援AI 系統(tǒng)所需的存儲(chǔ)器與儲(chǔ)存需求,2026 會(huì)計(jì)年度的營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)將進(jìn)一步增強(qiáng)。
高帶寬存儲(chǔ)器(HBM) 與先進(jìn)NAND 在AI 系統(tǒng)中的需求增溫,提升了美光的定價(jià)能力、毛利率與現(xiàn)金流。
美光表示,營(yíng)運(yùn)現(xiàn)金流攀升至84.1 億美元,高于前一季的57.3 億美元與去年同期的32.4 億美元,自由現(xiàn)金流更創(chuàng)下歷史新高。
針對(duì)這份財(cái)報(bào),瑞穗分析師Vijay Rakesh 特別點(diǎn)出美光對(duì)2 月一季給出的「極為強(qiáng)勁」財(cái)測(cè),并寫道,「我們認(rèn)為,美光將持續(xù)受惠于HBM 與先進(jìn)DRAM 正向定價(jià)環(huán)境,推動(dòng)營(yíng)收與獲利持續(xù)超預(yù)期。」他并將目標(biāo)價(jià)由270 美元上調(diào)至290 美元。