韓國正加大對下一代功率半導(dǎo)體的政策支持力度，這是其加強(qiáng)國內(nèi)芯片制造、減少對海外供應(yīng)商依賴的更廣泛舉措的一部分。韓國本土晶圓代工廠正加速碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）器件的商業(yè)化進(jìn)程。

韓國政府計(jì)劃于1月正式成立功率半導(dǎo)體專項(xiàng)工作組，這標(biāo)志著韓國將更加重視用于電動(dòng)汽車、可再生能源系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備的高效芯片。作為這項(xiàng)舉措的一部分，SiC碳化硅功率半導(dǎo)體技術(shù)極有可能被指定為國家戰(zhàn)略技術(shù)，此舉將帶來稅收優(yōu)惠、補(bǔ)貼和監(jiān)管支持。這一前景促使該計(jì)劃的核心企業(yè)之一SK Keyfoundry加快其生產(chǎn)進(jìn)度，并正在積極準(zhǔn)備，爭取最早于2026年第一季度開始量產(chǎn)SiC功率器件。該公司即將完成1200V SiC MOSFET的研發(fā)，該產(chǎn)品是高壓應(yīng)用的關(guān)鍵產(chǎn)品。

基于GaN的功率半導(dǎo)體也在朝著商業(yè)化方向發(fā)展。DB HiTek已完成650V GaN工藝的研發(fā)，目前正向無晶圓廠芯片設(shè)計(jì)商提供GaN多項(xiàng)目晶圓，并計(jì)劃在年內(nèi)實(shí)現(xiàn)實(shí)質(zhì)性的量產(chǎn)。為了滿足預(yù)期的需求增長，DB HiTek正在擴(kuò)建忠清北道園區(qū)潔凈室，增加GaN和SiC器件的產(chǎn)能。擴(kuò)建完成后，該公司8英寸晶圓的月產(chǎn)能將提升約23%。

這項(xiàng)最新的政策舉措建立在政府此前為提升韓國非存儲半導(dǎo)體能力所做的努力之上。2025年12月，韓國考慮以4.5萬億韓元的公私合營投資建設(shè)一家專注于關(guān)鍵芯片和傳統(tǒng)芯片（包括汽車和國防相關(guān)半導(dǎo)體）的本土晶圓代工廠。該計(jì)劃反映出韓國政府擔(dān)憂，盡管憑借三星電子和SK海力士在存儲芯片領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位，但在邏輯芯片和特種芯片制造方面卻落后于中國臺灣和美國。韓國政府還討論了優(yōu)先采購國產(chǎn)芯片用于國家安全基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)，并成立總統(tǒng)級半導(dǎo)體委員會來協(xié)調(diào)相關(guān)政策。

產(chǎn)業(yè)投資也與這些政策信號同步推進(jìn)。SK Keyfoundry通過2025年收購SK Powertech，增強(qiáng)了其SiC制造能力，獲得了工藝和器件設(shè)計(jì)方面的專業(yè)知識，從而增強(qiáng)了技術(shù)自主性。與此同時(shí)，DB HiTek早在2022年就開始投資GaN和SiC技術(shù)，將化合物半導(dǎo)體定位為長期增長引擎。（校對/趙月）