1月27日消息，鎧俠（KIOXIA）已宣布開始向客戶提供其新一代UFS 4.1嵌入式閃存樣品。

據(jù)悉，新一代UFS 4.1產(chǎn)品基于鎧俠第八代BiCS FLASH? 3D閃存技術(shù)，采用四層單元（QLC）架構(gòu)，即每個存儲單元可容納4比特數(shù)據(jù)。

相比傳統(tǒng)的TLC（三層單元）方案，QLC顯著提升了位密度，在相同物理空間內(nèi)實現(xiàn)更大容量——目前提供512GB和1TB兩種主流規(guī)格，充分滿足高端智能手機、平板電腦、物聯(lián)網(wǎng)終端及端側(cè)AI設(shè)備對大容量存儲的迫切需求。

性能方面，鎧俠UFS 4.1實現(xiàn)了全方位提升。官方數(shù)據(jù)顯示，相較于前代UFS 4.0，其順序?qū)懭胨俣忍嵘?5%，而隨機讀取速度更是驚人地提高了90%。若與更早的UFS 3.1對比，順序讀取性能達到2.1倍，順序?qū)懭雱t高達2.5倍。

不同容量型號在隨機讀寫上亦有顯著優(yōu)化：512GB型號隨機讀取提升約45%，1TB型號提升約35%；兩者隨機寫入均提升約30%。這些改進將直接轉(zhuǎn)化為用戶日常使用中的流暢體驗——無論是應(yīng)用啟動、多任務(wù)切換，還是大型游戲加載或高清視頻編輯，響應(yīng)速度都將更加迅捷。

除了速度，能效同樣是本次升級的重點。鎧俠通過優(yōu)化控制器設(shè)計與引入先進的糾錯算法，在提升性能的同時有效降低功耗。據(jù)披露，512GB與1TB型號在讀取操作中能效提升約15%，寫入操作中提升約20%。對于依賴電池續(xù)航的移動設(shè)備而言，這意味著更長的使用時間與更低的發(fā)熱，尤其契合當前輕薄化、高性能并重的設(shè)計趨勢。

技術(shù)層面，鎧俠UFS 4.1的一大亮點在于采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array）架構(gòu)。該技術(shù)將CMOS邏輯電路直接鍵合到存儲陣列之上，大幅縮短信號傳輸路徑，從而提升數(shù)據(jù)處理效率、降低延遲，并增強整體能效比。結(jié)合JEDEC標準封裝與小型BGA設(shè)計，新產(chǎn)品的封裝尺寸從上一代的11×13mm縮減至9×13mm，1TB型號的高度也進一步降低，為設(shè)備廠商在有限空間內(nèi)集成更多功能組件提供了可能。

此外，新品全面支持UFS 4.1規(guī)范，并向下兼容UFS 4.0與UFS 3.1，確保了良好的生態(tài)適配性。

隨著端側(cè)AI應(yīng)用的爆發(fā)式增長——如實時圖像識別、語音助手、本地大模型推理等——移動設(shè)備對存儲系統(tǒng)的帶寬、延遲和能效提出了前所未有的高要求。鎧俠UFS 4.1將滿足這一趨勢需求。