據(jù)韓媒Etnews及多家行業(yè)媒體最新報(bào)道，存儲(chǔ)巨頭閃迪（SanDisk）已正式按下“加速鍵”，開(kāi)始建立高帶寬閃存（HBF）的樣品生產(chǎn)線(xiàn)。這一存儲(chǔ)技術(shù)旨在填補(bǔ)HBM與SSD之間的性能鴻溝，為AI推理時(shí)代提供全新的存儲(chǔ)解決方案。

消息指出，閃迪目前正在緊鑼密鼓地與材料、零部件及設(shè)備供應(yīng)商接洽，構(gòu)建HBF原型生產(chǎn)線(xiàn)的生態(tài)系統(tǒng)。據(jù)某材料行業(yè)高層人士透露，閃迪的目標(biāo)是在今年下半年引入關(guān)鍵設(shè)備，部分企業(yè)甚至已經(jīng)開(kāi)始討論采購(gòu)訂單（PO）。

業(yè)界普遍預(yù)測(cè)，閃迪的試點(diǎn)生產(chǎn)線(xiàn)將于2026年下半年建成，并在年底前投入運(yùn)營(yíng)，力爭(zhēng)在2027年實(shí)現(xiàn)HBF產(chǎn)品的正式商業(yè)化。另有消息人士向The Bell透露，隨著樣品生產(chǎn)的正式啟動(dòng)，閃迪似乎將比此前公布的路線(xiàn)圖提前約六個(gè)月完成開(kāi)發(fā)目標(biāo)。

作為NAND閃存領(lǐng)域的頭部廠(chǎng)商，閃迪此次加速布局HBF，被視為其在AI存儲(chǔ)市場(chǎng)的一次關(guān)鍵突圍。由于目前產(chǎn)品組合中缺乏基于DRAM的高帶寬內(nèi)存（HBM），閃迪正全力以赴通過(guò)HBF這一差異化技術(shù)，在AI存儲(chǔ)這一新興藍(lán)海中搶占先機(jī)。

HBF（High Bandwidth Flash）并非簡(jiǎn)單的閃存升級(jí)，而是一種架構(gòu)層面的創(chuàng)新。其核心結(jié)構(gòu)與目前火熱的HBM（高帶寬內(nèi)存）類(lèi)似，但關(guān)鍵區(qū)別在于堆疊介質(zhì)：HBM堆疊的是DRAM，而HBF堆疊的是NAND閃存。

“HBM之父”、韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院（KAIST）教授金正浩解釋兩者的區(qū)別：“HBM好比書(shū)房，容量雖小但取用極其方便（低延遲）；而HBF則好比圖書(shū)館，雖然距離稍遠(yuǎn)（延遲略高），但藏書(shū)量巨大（大容量）。”

在AI大模型參數(shù)呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)的今天，僅靠昂貴的HBM已難以滿(mǎn)足海量數(shù)據(jù)的讀取需求，而傳統(tǒng)的SSD速度又太慢。HBF正是為了解決這一痛點(diǎn)而生。它通過(guò)借鑒HBM成熟的3D堆疊和硅通孔（TSV）技術(shù)，將NAND閃存的帶寬提升至接近HBM的水平，同時(shí)保留了NAND低成本、大容量和非易失性（斷電保存數(shù)據(jù)）的優(yōu)勢(shì)。

在推進(jìn)HBF商業(yè)化上，閃迪已拉攏了SK海力士。今年2月，SK海力士與閃迪聯(lián)合宣布在開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目（OCP）框架下成立專(zhuān)屬工作組，正式啟動(dòng)HBF全球標(biāo)準(zhǔn)化進(jìn)程。SK海力士作為HBM領(lǐng)域的霸主，擁有頂尖的堆疊封裝技術(shù)；而閃迪則是HBF概念的提出者和商業(yè)化先行者。兩者的強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，意在通過(guò)制定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，加速HBF生態(tài)的成熟。

與此同時(shí)，三星電子也已加入這一陣營(yíng)，計(jì)劃獨(dú)立開(kāi)發(fā)HBF產(chǎn)品。隨著三大存儲(chǔ)巨頭的集體入局，HBF有望成為繼HBM之后，AI硬件領(lǐng)域的下一個(gè)爆發(fā)點(diǎn)。

根據(jù)規(guī)劃，2026年下半年閃迪推出HBF原型產(chǎn)品，試點(diǎn)產(chǎn)線(xiàn)建成；2027年初搭載HBF的AI推理設(shè)備預(yù)計(jì)出樣；2027年底至2028年初： HBF技術(shù)有望集成至英偉達(dá)、AMD及谷歌的相關(guān)產(chǎn)品中。