日本芯片制造商鎧俠（Kioxia）計(jì)劃2026年在巖手縣晶圓廠開(kāi)始生產(chǎn)新一代NAND閃存芯片。

這些改進(jìn)型芯片旨在通過(guò)大幅提升長(zhǎng)期數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量，滿足人工智能（AI）數(shù)據(jù)中心對(duì)海量計(jì)算的需求。該計(jì)劃旨在創(chuàng)建高效的研發(fā)和生產(chǎn)系統(tǒng)，與鎧俠三重縣四日市工廠截然不同。

鎧俠位于巖手縣北上工廠的生產(chǎn)將采用公司“第十代”技術(shù)。通過(guò)將垂直堆疊的存儲(chǔ)單元層數(shù)從第八代的218層增加到332層，鎧俠將使單位面積的存儲(chǔ)容量提高59%，數(shù)據(jù)傳輸速度提高33%。新一代芯片還降低了功耗。

此前有傳言稱(chēng)，鎧俠將在四日市工廠生產(chǎn)新型芯片，該公司一直在該工廠進(jìn)行研發(fā)工作。但多位知情人士透露，生產(chǎn)工作實(shí)際上將在巖手縣北上工廠進(jìn)行。該公司沒(méi)有擴(kuò)建計(jì)劃，將使用巖手縣晶圓廠第二座廠房Fab2，該廠房已于9月投入運(yùn)營(yíng)。

鎧俠采取雙管齊下的戰(zhàn)略，一方面開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)高性能、低成本的芯片，另一方面開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)層數(shù)更多的大容量芯片。

第十代存儲(chǔ)芯片正是該公司計(jì)劃生產(chǎn)的大容量產(chǎn)品。其雙管齊下的戰(zhàn)略將確保生產(chǎn)效率，四日市工廠將繼續(xù)專(zhuān)注于高性能產(chǎn)品的生產(chǎn)，而需要大量資本投入以增加層數(shù)的大容量產(chǎn)品將在北上工廠生產(chǎn)。

四日市工廠的第九代高性能產(chǎn)品將于本財(cái)年末開(kāi)始生產(chǎn)。鎧俠預(yù)計(jì)其第九代芯片將主要用于智能手機(jī)。第九代芯片將保持與前代芯片相同的層數(shù)以降低成本，但采用更新的架構(gòu)來(lái)提高數(shù)據(jù)處理速度和降低功耗。

這種新架構(gòu)采用了一種技術(shù)，即生產(chǎn)兩個(gè)獨(dú)立的晶圓，一個(gè)包含存儲(chǔ)單元，另一個(gè)包含用于讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的電路。然后將這兩個(gè)基板直接鍵合在一起。這項(xiàng)技術(shù)自第八代芯片以來(lái)就已開(kāi)始使用。傳統(tǒng)的存儲(chǔ)芯片是將存儲(chǔ)單元和讀寫(xiě)電路印刷在同一基板上。

北上工廠所在的巖手縣南部正逐漸成為半導(dǎo)體制造中心。Tokyo Electron（TEL）11月在當(dāng)?shù)亟ǔ梢蛔a(chǎn)和物流于一體的綜合設(shè)施。包括富士金（Fujikin）和米蘭普洛（Mirapro）在內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)備零部件供應(yīng)商也加大了在該地區(qū)的投入。（校對(duì)/趙月）